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APT33GF120B2RDQ2G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APT33GF120B2RDQ2G參考圖片
Microsemi(美高森美)產(chǎn)品標(biāo)志
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聯(lián)系方式
APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 類別封裝:單路IGBT,原廠封裝
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • (專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu))
  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 系列:-
  • IGBT 類型:NPT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):64A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):75A
  • 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:357W
  • Switching Energy:1.315μJ (開), 1.515μJ (關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • Gate Charge:170nC
  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:14ns/185ns
  • Test Condition:800V, 25A, 4.3 歐姆, 15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
  • 封裝/外殼:TO-247-3 變式
  • 安裝類型:通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝:*
  • APT33GF120B2RDQ2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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