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APT40GP60SG
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
  • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 100A 543W D3PAK
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT40GP60SG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 600V 100A 543W D3PAK
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：PT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，40A
  • 功率-最大值：543W
  • 開關(guān)能量：385μJ（開），352μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：135nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：20ns/64ns
  • 測試條件：400V，40A，5 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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