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APT75GP120B2G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
  • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT75GP120B2G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 類型：PT
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
  • 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：3.9V @ 15V，75A
  • 功率 - 最大值：1042W
  • Switching Energy：1620μJ （開）， 2500μJ （關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • Gate Charge：320nC
  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：20ns/163ns
  • Test Condition：600V, 75A, 5 歐姆, 15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
  • 封裝/外殼：TO-247-3 變式
  • 安裝類型：通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝：*
  • APT75GP120B2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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