APTGT35SK120D1G
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:D1
技術參數:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
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參數詳情:
制造商產品型號:APTGT35SK120D1G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態(tài):停產IGBT類型:溝槽型場截止配置:單路電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):55A功率-最大值:205W不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,35A電流-集電極截止(最大值):5mA不同?Vce時輸入電容(Cies):2.5nF @ 25V輸入:標準NTC熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:底座安裝封裝:D1APTGT35SK120D1G的訂貨細節(jié)及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。