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APTM100H80FT1G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
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APTM100H80FT1G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP1
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APTM100H80FT1G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：4 個 N 通道（H 橋）
  • FET功能：標(biāo)準
  • 漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：11A
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：960 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3876pF @ 25V
  • 功率-最大值：208W
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：SP1
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