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APTM120DA30CT1G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APTM120DA30CT1G參考圖片
Microsemi(美高森美)產(chǎn)品標(biāo)志
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APTM120DA30CT1G
  • 制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 類(lèi)別封裝:場(chǎng)效應(yīng)管模塊,SP1
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • (專(zhuān)注銷(xiāo)售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
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  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):APTM120DA30CT1G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):31A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):360 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):560nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):14560pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:657W
  • 安裝類(lèi)型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP1
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP1
  • APTM120DA30CT1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
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