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APT100GT120JRDQ4
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：IGBT模塊，ISOTOP
  • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 123A 570W SOT227
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  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT100GT120JRDQ4
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 1200V 123A 570W SOT227
  • 系列：Thunderbolt IGBT
  • IGBT 類型：NPT
  • 配置：單一
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：123A
  • 功率 - 最大值：570W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.7V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：200μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：7.85nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC 熱敏電阻：無
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：ISOTOP
  • 供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP
  • APT100GT120JRDQ4的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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