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APT35GP120J
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：IGBT模塊，ISOTOP
  • 技術參數：IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：APT35GP120J
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 類型：PT
  • 配置：單一
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：64A
  • 功率 - 最大值：284W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.9V @ 15V，35A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.24nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC 熱敏電阻：無
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：ISOTOP
  • 供應商器件封裝：ISOTOP
  • APT35GP120J的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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