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APTGT200DA120D3G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：IGBT模塊，D3
  • 技術參數：IGBT 1200V 300A 1050W D3
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨�。�
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：APTGT200DA120D3G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 1200V 300A 1050W D3
  • 系列：-
  • IGBT 類型：溝道和場截止
  • 配置：單一
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：300A
  • 功率 - 最大值：1050W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.1V @ 15V，200A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：6mA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：14nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC 熱敏電阻：無
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：D3
  • 供應商器件封裝：D3
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