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APTM120H140FT1G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APTM120H140FT1G參考圖片
Microsemi（美高森美）產(chǎn)品標(biāo)志
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聯(lián)系方式
APTM120H140FT1G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：場(chǎng)效應(yīng)管模塊，SP1
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
  • （專注銷(xiāo)售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APTM120H140FT1G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
  • 系列：-
  • FET 類型：4 個(gè) N 通道（H 橋）
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.68 歐姆 @ 7A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：145nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3812pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：208W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP1
  • 供應(yīng)商器件封裝：SP1
  • APTM120H140FT1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
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